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NGB8206AN分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGB8206AN
厂商型号

NGB8206AN

参数属性

NGB8206AN 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

功能描述

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

130.3 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 17:09:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NGB8206ANT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/5µs

  • 测试条件:

    300V,9A,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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