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NGD15N41CLT4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGD15N41CLT4 |
| 参数属性 | NGD15N41CLT4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 440V 15A 107W DPAK |
| 功能描述 | IGBT 440V 15A 107W DPAK |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 21:09:00 |
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NGD15N41CLT4规格书详情
简介
NGD15N41CLT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGD15N41CLT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：NGD15N41CLT4
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：440V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：15A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
：50A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.2V @ 4V，10A
- 功率 - 最大值
：107W
- 开关能量
：-
- 输入类型
：逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值
：-/4µs
- 测试条件
：300V，6.5A，1 千欧
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装
：DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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