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NGD18N40CLBT4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
NGD18N40CLBT4 |
参数属性 | NGD18N40CLBT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK |
功能描述 | IGBT 430V 15A 115W DPAK |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 11:12:00 |
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NGD18N40CLBT4规格书详情
简介
NGD18N40CLBT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGD18N40CLBT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:NGD18N40CLBT4
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:430V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:15A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:50A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:2.5V @ 4V,15A
- 功率 - 最大值
:115W
- 开关能量
:-
- 输入类型
:逻辑
- 25°C 时 Td(开/关)值
:-
- 测试条件
:-
- 工作温度
:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装
:DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON |
TO252 |
9500 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
DPAK3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SOT-252 |
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询价 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220AB |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
159 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
25+23+ |
TO252 |
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询价 |