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NGD18N40CLBT4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

NGD18N40CLBT4

参数属性

NGD18N40CLBT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK

功能描述

IGBT 430V 15A 115W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:12:00

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NGD18N40CLBT4规格书详情

简介

NGD18N40CLBT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGD18N40CLBT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NGD18N40CLBT4

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :430V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :15A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :50A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.5V @ 4V,15A

  • 功率 - 最大值

    :115W

  • 开关能量

    :-

  • 输入类型

    :逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :-

  • 测试条件

    :-

  • 工作温度

    :-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装

    :DPAK

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