点火IGBT电源半导体

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 ·DPAK封装占用空间小并可增加电路板空间\n·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n·集成栅极发射极ESD保护\n·低阈值电压将电源载荷接入逻辑级微处理器设备中\n·低饱和电压\n·高脉冲电流能力\n·针对短路保护的发射极镇流\n·该设备不含铅;

Littelfuse

力特

Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N−Channel DPAK

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching

文件：105.25 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 500V 18A DPAK

Littelfuse

力特

TO-252

Littelfuse

力特

上传：深圳市纳艾斯科技有限公司

TO-247

ON

上传：深圳诚思涵科技有限公司