NGD8201BNT4G_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-力特

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厂家型号：
NGD8201BNT4G
制造商：
LITTELFUSE/力特
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-24 9:18:00

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原厂料号：NGD8201BNT4G品牌：Littelfuse Inc.

资料说明：IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

NGD8201BNT4G是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商LITTELFUSE/力特生产封装TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的NGD8201BNT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
ngd8201bnt4g
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
LITTELFUSE【力特】详情
厂商全称：
Littelfuse Inc.
中文名称：
力特公司
资料说明：
IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
NGD8201BNT4G
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/4µs
测试条件：
300V，6.5A，1 千欧
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252，（D-Pak）
描述：
IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

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NGD8201BNT4G

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