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NE76084	文件：62.53 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：62.53 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76084	文件：190.51 Kbytes Page：14 Pages	GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm 文件：190.51 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE76084	文件：300 bytes Page：1 Pages	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET	Renesas 瑞萨	Renesas
NE76084-SL	文件：62.53 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：62.53 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76084-SL	文件：190.51 Kbytes Page：14 Pages	丝印：E；GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm 文件：190.51 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE76084-T1	文件：190.51 Kbytes Page：14 Pages	丝印：E；GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm 文件：190.51 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE76084-T1	文件：62.53 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：62.53 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76084-T1A	文件：190.51 Kbytes Page：14 Pages	丝印：E；GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm 文件：190.51 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE76084-T1A	文件：62.53 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：62.53 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE76084S	文件：42.76 Kbytes Page：4 Pages	LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET 文件：42.76 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC

详细参数

型号：
NE76084
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

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