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NE72218 | C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • High power gain in C to X band: GS = 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz • Gate length : Lg = 0.8 µm • Gate width : Wg = 400 µm • 4-pin super minimold package • Tape & reel packaging only available 文件：60.16 Kbytes 页数：8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | |
NE72218 | C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MESFET 文件：37.46 Kbytes 页数：5 Pages | CEL | CEL | |
NE72218 | C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MESFET | CEL | CEL | |
C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • High power gain in C to X band: GS = 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz • Gate length : Lg = 0.8 µm • Gate width : Wg = 400 µm • 4-pin super minimold package • Tape & reel packaging only available 文件：60.16 Kbytes 页数：8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • High power gain in C to X band: GS = 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz • Gate length : Lg = 0.8 µm • Gate width : Wg = 400 µm • 4-pin super minimold package • Tape & reel packaging only available 文件：60.16 Kbytes 页数：8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MESFET 文件：37.46 Kbytes 页数：5 Pages | CEL | CEL |
详细参数
- 型号：
NE72218
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-343 |
20300 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT-343 |
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