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NE72218
厂商型号

NE72218

功能描述

C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

60.16 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 11:00:00

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NE72218规格书详情

FEATURES

• High power gain in C to X band: GS = 4.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

• Gate length : Lg = 0.8 µm

• Gate width : Wg = 400 µm

• 4-pin super minimold package

• Tape & reel packaging only available

产品属性

  • 型号:

    NE72218

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-343
50000
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NEC
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