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NE3516S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE3516S02-T1C

参数属性

NE3516S02-T1C 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

功能描述

N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

152.78 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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更新时间

2025-11-27 19:17:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NE3516S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    N 沟道 GaAs HJ-FET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    14dB

  • 额定电流(安培):

    60mA

  • 噪声系数:

    0.35dB

  • 功率 - 输出:

    165mW

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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