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NE3210S01-T1B	文件：62.71 Kbytes Page：16 Pages	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION TheNE3210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE3210S01-T1B	文件：197.14 Kbytes Page：18 Pages	丝印：K；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE3210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Its excellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.35dBTY	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE32484A	文件：63.8 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE32484A	文件：55.54 Kbytes Page：5 Pages	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET DESCRIPTION TheNE32484AisapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandlingcapabilities.Themush	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE32484A	文件：195.05 Kbytes Page：14 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE32484AisaHeteroJunctionFETthatutilizesthe heterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellent lownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforDBS, TVROandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE32484A_98	文件：55.54 Kbytes Page：5 Pages	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET DESCRIPTION TheNE32484AisapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandlingcapabilities.Themush	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE32484AS	文件：55.54 Kbytes Page：5 Pages	ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET DESCRIPTION TheNE32484AisapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandlingcapabilities.Themush	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE32484A-SL	文件：63.8 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE32484A-SL	文件：195.05 Kbytes Page：14 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE32484AisaHeteroJunctionFETthatutilizesthe heterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellent lownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforDBS, TVROandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE32484A-T1	文件：63.8 Kbytes Page：12 Pages	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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产品属性

产品编号：
NE3
制造商：
Essentra Components
类别：
电缆，电线 - 管理 > 电缆支撑与紧固件
系列：
Richco
包装：
散装
类型：
线夹，P 型
开口尺寸：
0.188"（4.78mm）
安装类型：
紧固件
材料：
铝
颜色：
黑色，银色
宽度：
0.375"（9.53mm）
面板孔尺寸：
0.204"（5.18mm）
材料厚度：
0.031"（0.80mm）
特性：
保护涂层
描述：
CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

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上海金庆电子技术有限公司	NE3	Richco	新		775	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NE3	Richco	2022+		771	全新原装货期两周	询价
深圳市易讯博科技有限公司	NE3	Essentra	22+	NA	9692	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市正纳电子有限公司	NE3	ESSENTRA COMPONENTS	23+	原封阻容元件	1000000		询价
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深圳市利加科技有限公司	NE32584C-T1	NEC	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价

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