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NE3210S01-T1B分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3210S01-T1B |
| 参数属性 | NE3210S01-T1B 封装/外壳为4-SMD；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 12GHZ S01 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | 4-SMD |
| 文件大小 |
197.14 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-20 13:58:00 |
| 人工找货 | NE3210S01-T1B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3210S01-T1B规格书详情
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm
产品属性
- 产品编号：
NE3210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ S01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
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