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NE321000中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE321000
厂商型号

NE321000

功能描述

C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

文件大小

48.78 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-3 19:00:00

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NE321000规格书详情

DESCRIPTION

The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems, industrial and space applications.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm

• Gate Width : Wg = 160 µm

产品属性

  • 型号:

    NE321000

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
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20000
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NEC
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