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NE202930-T1	文件：217.2 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor FEATURES •HightransitionfrequencyfT=11GHzTYP. •Idealforlownoiseandlowdistortionamplification •Suitableforequipmentsoflowcollectorvoltage(Lessthan5V) •Suitableforupto1GHzapplications APPLICATIONS •LNA(LowNoiseAmplifier)orpowersplitterfordigi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE202930-T1	文件：571.67 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor FEATURES •HightransitionfrequencyfT=11GHzTYP. •Idealforlownoiseandlowdistortionamplification •Suitableforequipmentsoflowcollectorvoltage(Lessthan5V) •Suitableforupto1GHzapplications APPLICATIONS •LNA(LowNoiseAmplifier)orpowersplitterfordigi	CEL California Eastern Labs	CEL
NE202930-T1-A	文件：571.67 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor FEATURES •HightransitionfrequencyfT=11GHzTYP. •Idealforlownoiseandlowdistortionamplification •Suitableforequipmentsoflowcollectorvoltage(Lessthan5V) •Suitableforupto1GHzapplications APPLICATIONS •LNA(LowNoiseAmplifier)orpowersplitterfordigi	CEL California Eastern Labs	CEL
NE202XX	文件：329.07 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE202XX-1.4	文件：329.07 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE219	文件：550.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheNE219seriesofNPNsiliconbipolartransistorsisdesignedforsmallsignalamplifierandoscillatorapplicationsup6GHz. FEATURES ●HIGHfr:8GHz ●LOWNOISE: 1dBat0.5GHz 2.2dBat2GHz ●HIGHCOLLECTORCURRENT:80mA ●HIGHOSCILLATORPOWE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE21903	文件：550.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheNE219seriesofNPNsiliconbipolartransistorsisdesignedforsmallsignalamplifierandoscillatorapplicationsup6GHz. FEATURES ●HIGHfr:8GHz ●LOWNOISE: 1dBat0.5GHz 2.2dBat2GHz ●HIGHCOLLECTORCURRENT:80mA ●HIGHOSCILLATORPOWE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE21908	文件：550.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheNE219seriesofNPNsiliconbipolartransistorsisdesignedforsmallsignalamplifierandoscillatorapplicationsup6GHz. FEATURES ●HIGHfr:8GHz ●LOWNOISE: 1dBat0.5GHz 2.2dBat2GHz ●HIGHCOLLECTORCURRENT:80mA ●HIGHOSCILLATORPOWE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE21912	文件：550.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheNE219seriesofNPNsiliconbipolartransistorsisdesignedforsmallsignalamplifierandoscillatorapplicationsup6GHz. FEATURES ●HIGHfr:8GHz ●LOWNOISE: 1dBat0.5GHz 2.2dBat2GHz ●HIGHCOLLECTORCURRENT:80mA ●HIGHOSCILLATORPOWE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE21935	文件：35.71 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HI FREQUNCY TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASINE21935isDesignedforgeneralpurposeandsmallsignalamplifierandoscillatorapplicationsupto6.0GHz. FEATURESINCLUDE: •Highfrequency8.0GH •Lownoise,1dBat0.5GHz.	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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详细参数

型号：
NE2
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NE2供应商更新时间2025-5-20 15:25:00

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