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NE21912	文件：550.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION AND APPLICATIONS The NE219 series of NPN silicon bipolar transistors is designed for small signal amplifier and oscillator applications up 6 GHz. FEATURES ● HIGH fr: 8 GHz ● LOW NOISE: 1 dB at 0.5 GHz 2.2 dB at 2 GHz ● HIGH COLLECTOR CURRENT: 80 mA ● HIGH OSCILLATOR POWE 文件：550.89 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
CT21912LPST-ND	文件：328.26 Kbytes Page：1 Pages	DIP Switches 文件：328.26 Kbytes 页数：1 Pages	CTS 西迪斯	CTS
NCS21912	文件：1.0528 Mbytes Page：22 Pages	Precision Operational Amplifier, 25 V Offset, Zero-Drift, 36 V Supply, 2 MHz 文件：1.0528 Mbytes 页数：22 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV21912	文件：1.0528 Mbytes Page：22 Pages	Precision Operational Amplifier, 25 V Offset, Zero-Drift, 36 V Supply, 2 MHz 文件：1.0528 Mbytes 页数：22 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NE21912供应商更新时间2026-4-22 10:03:00