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NE2	文件：203.2 Kbytes Page：1 Pages	Level Monitors Type NS	ZIEHL ZIEHL industrie-elektronik GmbH + Co KG	ZIEHL
NE2001-VA20	文件：166.06 Kbytes Page：5 Pages	Near edge thermal printhead (8 dots / mm) TheNE2001-VA20Aisanearedgethin-filmthermalprintheadwheretheprintingmediumpassesstraightthrough,suitedforcardprinters. Features 1)Inclinedtowardtheprintingsurfacetoprovideexcellentprintingqualityevenforcardsandthickpaper. 2)Printsdirectlyonprintingmediumth	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
NE2001-VA20A	文件：166.06 Kbytes Page：5 Pages	Near edge thermal printhead (8 dots / mm) TheNE2001-VA20Aisanearedgethin-filmthermalprintheadwheretheprintingmediumpassesstraightthrough,suitedforcardprinters. Features 1)Inclinedtowardtheprintingsurfacetoprovideexcellentprintingqualityevenforcardsandthickpaper. 2)Printsdirectlyonprintingmediumth	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
NE2002-VA10A	文件：215.28 Kbytes Page：5 Pages	Near edge thermal printhead (8 dots / mm) TheNE2002–VA10Aisanearedgethin–filmthermalprinthead,wheretheprintingmediumpassesstraightthroughatprintingspeedsupto10inch/second.Itissuitedforhigh–speedlabelprinters. Features 1)Inclinedtowardtheprintingsurfacetoprovideexcellentprintingqualityevenforca	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
NE2004-VA10A	文件：213.97 Kbytes Page：5 Pages	Near edge thin film thermal printhead (8 dots / mm) TheNE2004–VA10Aisanearedgethin–filmthermalprinthead,wheretheprintingmediumpassesstraightthroughatprintingspeedsupto10inch/second.Itissuitedforhigh–speedlabelprinters. Features 1)Inclinedtowardtheprintingsurfacetoprovideexcellentprintingqualityevenforca	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
NE202	文件：329.07 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE20248	文件：329.07 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE20283A	文件：329.07 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE202930	文件：217.2 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor FEATURES •HightransitionfrequencyfT=11GHzTYP. •Idealforlownoiseandlowdistortionamplification •Suitableforequipmentsoflowcollectorvoltage(Lessthan5V) •Suitableforupto1GHzapplications APPLICATIONS •LNA(LowNoiseAmplifier)orpowersplitterfordigi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE202930	文件：571.67 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor FEATURES •HightransitionfrequencyfT=11GHzTYP. •Idealforlownoiseandlowdistortionamplification •Suitableforequipmentsoflowcollectorvoltage(Lessthan5V) •Suitableforupto1GHzapplications APPLICATIONS •LNA(LowNoiseAmplifier)orpowersplitterfordigi	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NE2
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
ULTRA LOW NOISE K BAND HETERO JUNCTION FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	NE21912	NEC	23+	原厂封装	8293		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	NE28C64-200	SEEQ	23+	PLCC32	7512	绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!	询价
深圳市益百分电子有限公司	NE2282-AB33PC	PLX	07+	TQFP10	2450	全新原装进口自己库存优势	询价
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深圳市一线半导体有限公司	NE2940CT		24+		500	真实现货库存	询价
深圳市勤思达科技有限公司	NE2602	NEM	1215+	SOP-16	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市恒创达实业有限公司	NE29LV320AB-70TCP	EON	17+	TSOP	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	NE2107E	nec	24+	N/A	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市弘为电子有限公司	NE25139U7	NEC	24+	-	1977	原装现货假一罚十	询价

更多NE2供应商更新时间2025-5-20 15:25:00

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