isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=7.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.85Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 

文件：146.17 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 

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ONSEMI

安森美半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件：193.79 Kbytes 页数：11 Pages

SAMHOP

三合微科