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NDP610AE	文件：73.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
NDP610AE	文件：295.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
610	文件：411.03 Kbytes Page：4 Pages	횠6.35mmmountingBlackanodisedaluminiumhousing	MARL Marl International Ltd
610	文件：146.02 Kbytes Page：2 Pages	LowProfile	OSCILENT Oscilent Corporation
610	文件：878.86 Kbytes Page：2 Pages	Compact,PortableIP67MilitaryFastEthernetSwitch PRODUCTDESCRIPTION EthernetisbecomingthestandardforIP-based componentsinawiderangeofmilitaryandcommercial land,sea,andairapplications.Whenbuilding communicationswheredataprioritizationisnota concernandtheamountoftrafficislow,unmanaged, FastEthernetswitche	ENERCON Enercon Technologies Europe AG
610B	文件：130.68 Kbytes Page：1 Pages	PulseEncapsulatedP.C.BoardMount Features Theseferritecoredtransformersarefullyencapsulatedinahighgradeblackmoldedcase withaUL94V-Orating. Unitsareintendedforwidebandandpulseapplicationsincludingthyristor/triacfiring circuits. Peakpulsevoltageratingmaximumof250V. Insulationtestedto1,000	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
610D	文件：71.27 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Non-Polar,Miniature	VishayVishay Siliconix 威世科技
610F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
610FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
610H	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
610HE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
610J	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
610JE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
610NM	文件：1.42021 Mbytes Page：9 Pages	SMTLEDs	GILWAY Gilway Technical Lamp
610PT	文件：1.28351 Mbytes Page：6 Pages	Voltageratingupto2400V	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
610PTBO	文件：1.28351 Mbytes Page：6 Pages	PHASECONTROLTHYRISTORS	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
610SJR	文件：331.18 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountMetalPlateCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
ABR610	文件：19.05 Kbytes Page：2 Pages	AVALANCHEBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcasedielectricstrength Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop ldealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC
ABR610	文件：51.27 Kbytes Page：2 Pages	AVALANCHEBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC
ADXRS610	文件：714.94 Kbytes Page：12 Pages	짹300째/secYawRateGyro	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
NDP610AE
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NDP610AE供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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