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NDP10N60Z	文件：371.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.75Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDP10N60Z	文件：138.25 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 0.65 ?? 600 Volts 文件：138.25 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDP10N60ZG	文件：138.25 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 0.65 ?? 600 Volts 文件：138.25 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB10N60FG	文件：406.03 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel IGBT 文件：406.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJ10N60	文件：860.82 Kbytes Page：7 Pages	10A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：860.82 Kbytes 页数：7 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ10N60-BL	文件：860.82 Kbytes Page：7 Pages	10A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：860.82 Kbytes 页数：7 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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