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深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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onsemi(安森美)TO-220

8075

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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FAIRCHILD/仙童

13037

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220

31518

17+

原装正品 可含税交易

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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KATO-220

6000

23+

原装正品,支持实单

深圳市莱克讯科技有限公司

6年 留言
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FSCTO-220

65895

2017+

深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

深圳市弘为电子有限公司

9年 留言
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FAIRCHILD原厂封装

3179

16+

原装现货假一罚十

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

8年 留言
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    深圳市福田区赛格科技园四栋西//香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1806室

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FSCTO-220

350000

2020+

100%进口原装正品公司现货库存

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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    朱先生

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ONTO-220

28610

23+

深圳市近平电子有限公司

8年 留言
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    深圳福田区振兴西路华康大厦2栋

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面议

19

6000

DIP/SMD

深圳市安罗世纪电子有限公司

6年 留言
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    深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼D19

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FAIRCHILDSMD

3179

2023+

安罗世纪电子只做原装正品货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

10年 留言
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KATO-TO-220

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

上海磐岳电子有限公司

6年 留言
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    张小姐/王小姐/杨先生/张先生

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FSCTO-220

5800

2023+

进口原装,现货热卖

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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KATO-220

25000

22+

只做原装进口现货,专注配单

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

2年 留言
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    李先生/许小姐

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    深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋620室

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KATO-TO-220

12300

24+

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

深圳市国宇半导体科技有限公司

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    王小姐

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    深圳市福田区华强北路赛格广场1809A

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KATO-220

10000

23+

公司只做原装正品

深圳市河锋鑫科技有限公司

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KATO-220

6000

22+

十年配单,只做原装

无锡固电半导体股份有限公司

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iscTO-220

175

2024

1+
:¥7.99

国产品牌isc,可替代原装

深圳市利加科技有限公司

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FSCTO-220

10000

16+

全新原装现货

深圳市永贝尔科技有限公司

7年 留言
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FAIRCHILDNA

19960

23+

只做进口原装,终端工厂免费送样

深圳市纳艾斯科技有限公司

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FAIRCHITO-220

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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NDP6030功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030L功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030PL功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030PL_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube