isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=5.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.5Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：371.9 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ?

文件：166.6 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ?

文件：166.6 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

500V N-Channel MOSFETs

文件：476.45 Kbytes 页数：5 Pages

POTENS

博盛半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件：195.62 Kbytes 页数：11 Pages

SAMHOP

三合微科

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.33135 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特