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NCE30H11BG	文件：637.1 Kbytes Page：7 Pages	型号：NCE30H11BG；Package：DFN5X6-8L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE30H11BGusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan beusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)=2.3mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=3.8mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Excellentga	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

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NCE30H11BG

文件：637.1 Kbytes

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型号：NCE30H11BG；Package：DFN5X6-8L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H11BGusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan beusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)=2.3mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=3.8mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Excellentga

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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更多NCE30H11BG供应商更新时间2025-8-3 13:01:00

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