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NCE3080IA	文件：288.89 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE3080IA；Package：TO-251；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =80A RDS(ON) 文件：288.89 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
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更多NCE3080IA供应商更新时间2025-9-16 18:52:00