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NCE2013J | Marking：NCE2013J；Package：DFN2X2-6L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE2013Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=13A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | NCEPOWER |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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