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LCE01P30	文件：1.10161 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P30；Package：TO-220-3L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10161 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMFB30P10K	文件：1.10206 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P30；Package：TO-220-3L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10206 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE01P30D	文件：330.66 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE01P30D；Package：TO-263-2L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 文件：330.66 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01P30I	文件：321.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE01P30I；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 文件：321.87 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE01P30K	文件：994.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P30K；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：994.89 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMAK30P10K	文件：1.00858 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P30K；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.00858 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE01P30D	文件：330.66 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE01P30D；Package：TO-263-2L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 文件：330.66 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01P30I	文件：321.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE01P30I；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 文件：321.87 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01P30K	文件：933.25 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -100V, ID= -40A RDS(ON) 文件：933.25 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
NCE01P30	文件：348.33 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：348.33 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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