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NCE0140AK2	文件：632.58 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE0140AK2；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0140AK2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =40A RDS(ON) 文件：632.58 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140I2	文件：757.38 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NCE0140I2；Package：TO-251；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0140I2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =40A RDS(ON) 文件：757.38 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140IA	文件：350.23 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：350.23 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140K	文件：984.97 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：984.97 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE0140K	文件：415.85 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：415.85 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140K2	文件：417.3 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：417.3 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140KA	文件：428.89 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：428.89 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140KA	文件：984.8 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：984.8 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LCE0140K	文件：1.25257 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE0140K；Package：TO-252-2L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.25257 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LCE0140KA	文件：1.58949 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE0140KA；Package：TO-252-2L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.58949 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

Technology：
Trench
Product status：
New
Package：
TO-252
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
40
VTH(V)：
1.3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
14
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
17
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
15
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
18
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4700
QG(nC)：
119
PD(W)：
140

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