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NCE0140I2	文件：757.38 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NCE0140I2；Package：TO-251；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0140I2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =40A RDS(ON) 文件：757.38 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0140I2	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE01P30K内存芯片	文件：0 bytes Page：0 Pages	NCE/新洁能 TO-252	NCE/新洁能上传：深圳庞田科技有限公司	NCE/新洁能
NCE0224	文件：0 bytes Page：0 Pages	NCE/新洁能 TO-220-3L	NCE/新洁能上传：深圳市科鑫锐电子科技有限公司	NCE/新洁能
NCE0224AK	文件：0 bytes Page：0 Pages	NCE新洁能 TO-252	NCE新洁能上传：深圳市华康联电子科技有限公司	NCE新洁能

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-251
Polarity：
P
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
40
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
14.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
17
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3400
QG(nC)：
94
PD(W)：
140

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE0140I2供应商更新时间2025-10-8 14:01:00

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