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PBSS5230PAP	文件：274.72 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC
PBSS5230PAP	文件：751.58 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230PAP-Q	文件：311.64 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Qualifiedaccordi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230QA	文件：245.01 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC
PBSS5230QA	文件：727.5 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat Highcollectorcurrentcapability: ICandICM Higherefficiencyleadingtolessheat generation AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：640.26 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix”HF” ●MoisureSensitivityLevel1 ●Marking:W3G Applications ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagement ●DC	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

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详细参数

型号：
N5230C
制造商：
HP
制造商全称：
Agilent(Hewlett-Packard)
功能描述：
4-Port PNA-L Microwave Network Analyzer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	N52354F		24+		400	真实现货库存	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	N5238LF	BOURNS	2023+	SMD	15037	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	N523R1	GILWAY	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市芯纬度科技有限公司	N5245B	ST	21+	DNA	127	公司现货,有挂就有货。	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	N5252	ON/安森美	23+	QFN-16	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	N5252	ON/安森美	23+	QFN-16	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	N5252	ON/安森美	24+	QFN-16	60000	全新原装现货	询价

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