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MT3S113	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R7；Package：S-MINI；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S113	文件：210.18 Kbytes Page：7 Pages	VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：210.18 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S113	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 5.3 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S113P	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R7；Package：Pw-Mini；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S113TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R7；Package：UFM；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S113P	文件：191.89 Kbytes Page：7 Pages	VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：191.89 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S113TU	文件：185.41 Kbytes Page：7 Pages	VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：185.41 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S113P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 1600 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 5.3 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S113TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 900 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 5.3 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S113(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

application scope：
VHF/UHF band low noise
VCEO (Max) (V)：
5.3
IC (Max) (A)：
0.1
fT (Typ.) (GHz)：
12.5
2 (Typ.) (dB)：
11.8
NF (Typ.) (dB)：
1.15
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Package Size(mm^2)：
7.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MT3S113	TOSHIBA/东芝	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多MT3S113供应商更新时间2026-1-17 14:00:00

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