MT3S113数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
MT3S113 |
参数属性 | MT3S113 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI |
功能描述 | Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-243AA |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
原厂标识 | Toshiba |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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MT3S113规格书详情
描述 Description
Application Scope:VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity:NPN
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW
Junction temperature Tj 150 ℃
Collector-emitter voltage VCEO 5.3 V
技术参数
- 制造商编号
:MT3S113
- 生产厂家
:Toshiba
- application scope
:VHF/UHF band low noise
- VCEO (Max) (V)
:5.3
- IC (Max) (A)
:0.1
- fT (Typ.) (GHz)
:12.5
- |S21|2 (Typ.) (dB)
:11.8
- NF (Typ.) (dB)
:1.15
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:Y
- Package name(Toshiba)
:S-Mini
- Width×Length×Height(mm)
:2.9 x 2.5 x 1.1
- Package Size(mm^2)
:7.25
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-89 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
22+ |
SOT323 |
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