MT3S111P中文资料Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
MT3S111P |
| 参数属性 | MT3S111P 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-17 23:00:00 |
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MT3S111P规格书详情
描述 Description
Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity：NPN
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation PC 300 mW
Collector power dissipation (mounted on board) PC 1000 mW
Junction temperature Tj 150 ℃
Collector-emitter voltage VCEO 6 V
技术参数
- 制造商编号
：MT3S111P
- 生产厂家
：Toshiba
- application scope
：VHF/UHF band low noise
- VCEO (Max) (V)
：6
- IC (Max) (A)
：0.1
- fT (Typ.) (GHz)
：8
- |S21|2 (Typ.) (dB)
：10.5
- NF (Typ.) (dB)
：0.95
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：PW-Mini
- Width×Length×Height(mm)
：4.6 x 4.2 x 1.6
- Package Size(mm^2)
：19.32
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-89 |
100000 |
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询价 | ||
TOS |
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SOT-89 |
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询价 | |||
SOT-89 |
23+ |
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TOSHIBA |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-89 |
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询价 |
