MT3S111P中文资料Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
MT3S111P |
| 参数属性 | MT3S111P 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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MT3S111P规格书详情
描述 Description
Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity：NPN
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation PC 300 mW
Collector power dissipation (mounted on board) PC 1000 mW
Junction temperature Tj 150 ℃
Collector-emitter voltage VCEO 6 V
技术参数
- 制造商编号
：MT3S111P
- 生产厂家
：Toshiba
- application scope
：VHF/UHF band low noise
- VCEO (Max) (V)
：6
- IC (Max) (A)
：0.1
- fT (Typ.) (GHz)
：8
- |S21|2 (Typ.) (dB)
：10.5
- NF (Typ.) (dB)
：0.95
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：PW-Mini
- Width×Length×Height(mm)
：4.6 x 4.2 x 1.6
- Package Size(mm^2)
：19.32
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
27000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-89 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+/25+ |
56000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
TOS |
10+ |
SOT-89 |
11000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2025+ |
SOT-89 |
4885 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
8000 |
B |
SOT-89 |
2041 |
92 |
询价 | ||
TOSHIBA 光耦 集成电路 |
Original 元件 |
原厂原封 |
10050 |
TOSHIBA现货原装△-更多数量咨询样品批量支持;详询 |
询价 | ||
SOT-89 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
TOSHIBA |
25+ |
SOT-89 |
2789 |
原装优势!绝对公司现货! |
询价 |
