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MT3S111P	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R5；Package：Pw-Mini；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	文件：169.96 Kbytes Page：5 Pages	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：169.96 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation PC 300 mW \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 1000 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S111P(TE12L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

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更多MT3S111P供应商更新时间2025-10-9 14:00:00