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MT3S111P(TE12L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

产品属性

产品编号：
MT3S111P(TE12L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.25dB @ 1GHz
增益：
10.5dB
功率 - 最大值：
1W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PW-MINI
描述：
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

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更多MT3S111P(TE12L,F)供应商更新时间2024-5-21 10:50:00

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