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MT3S111TU数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MT3S111TU

参数属性

MT3S111TU 封装/外壳为3-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

功能描述

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

封装外壳

3-SMD,扁平引线

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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MT3S111TU规格书详情

描述 Description

Application Scope:VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity:NPN
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW
Junction temperature Tj 150 ℃
Collector-emitter voltage VCEO 6 V

技术参数

  • 制造商编号

    :MT3S111TU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • application scope

    :VHF/UHF band low noise

  • VCEO (Max) (V)

    :6

  • IC (Max) (A)

    :0.1

  • fT (Typ.) (GHz)

    :10

  • |S21|2 (Typ.) (dB)

    :12.5

  • NF (Typ.) (dB)

    :0.85

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :UFM

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.7

  • Package Size(mm^2)

    :4.20

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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