MT3S113TU中文资料Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
MT3S113TU |
| 参数属性 | MT3S113TU 封装/外壳为3-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM |
| 功能描述 | Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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MT3S113TU规格书详情
描述 Description
Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity：NPN
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation (mounted on board) PC 900 mW
Junction temperature Tj 150 ℃
Collector-emitter voltage VCEO 5.3 V
技术参数
- 制造商编号
：MT3S113TU
- 生产厂家
：Toshiba
- application scope
：VHF/UHF band low noise
- VCEO (Max) (V)
：5.3
- IC (Max) (A)
：0.1
- fT (Typ.) (GHz)
：11.2
- |S21|2 (Typ.) (dB)
：12.5
- NF (Typ.) (dB)
：1.15
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：UFM
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.1 x 0.7
- Package Size(mm^2)
：4.20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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