MT3S113分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MT3S113 |
| 参数属性 | MT3S113 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | S-MINI / TO-243AA |
| 文件大小 |
1.58274 Mbytes |
| 页面数量 |
73 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-25 21:07:00 |
| 人工找货 | MT3S113价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MT3S113规格书详情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
产品属性
- 产品编号：
MT3S113P(TE12L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5.3V
- 频率 - 跃迁：
7.7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.45dB @ 1GHz
- 增益：
10.5dB
- 功率 - 最大值：
1.6W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
PW-MINI
- 描述：
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
2540+ |
S-Mini |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
22+ |
SOT23 |
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TOSHIBA/东芝 |
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