首页>MT3S113>规格书详情

MT3S113分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

MT3S113

参数属性

MT3S113 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

丝印标识

R7

封装外壳

S-MINI / TO-243AA

文件大小

1.58274 Mbytes

页面数量

73

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2026-1-25 8:40:00

人工找货

MT3S113价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MT3S113规格书详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

产品属性

  • 产品编号:

    MT3S113P(TE12L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5.3V

  • 频率 - 跃迁:

    7.7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益:

    10.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.6W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PW-MINI

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
TOSHIBA
22+
SOT-89
3000
原装正品,支持实单
询价
Toshiba
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
TOSHIBA
25+
SOT89
455
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-323
22055
郑重承诺只做原装进口现货
询价
TOSHIBA/东芝
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
TOSHIBA/东芝
2511
SOT-23
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
SOT-323
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
TOSHIBA
22+
SOT23
20000
公司只做原装 品质保障
询价