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MRF6V2010N数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF6V2010N

功能描述

10-450 MHz,10 W,50 V宽带射频功率LDMOS

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-10 14:32:00

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MRF6V2010N规格书详情

描述 Description

The MRF6V2010N, MRF6V2010GN and MRF6V2010NB are designed primarily for CW large-signal output and driver applications with frequencies up to 450 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

特性 Features

• Typical CW performance at 220 MHz: VDD = 50 Vdc, IDQ = 30 mA, Pout = 10 WPower gain: 23.9 dBDrain efficiency: 62%
• Capable of handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 10 W CW output power
• Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
• Qualified Up to a maximum of 50 VDD operation
• Integrated ESD protection
• 225°C capable plastic package
• RoHS compliant

技术参数

  • 型号:

    MRF6V2010N

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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