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MPS3703	文件：32.65 Kbytes Page：1 Pages	PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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MPS3703	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.8A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS3703_01	文件：295.15 Kbytes Page：7 Pages	PNP General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPS3703_D74Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.8A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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AM3703CBC	文件：2.44803 Mbytes Page：280 Pages	SitaraARMMicroprocessors	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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AM3703CBP	文件：2.44803 Mbytes Page：280 Pages	SitaraARMMicroprocessors	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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AM3703CBPA	文件：3.25437 Mbytes Page：280 Pages	SitaraARMMicroprocessors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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晶体管资料

型号：
MPS3703
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β>30
图片代号：
A-31
vtest：
45
htest：
100000100
atest：
.2
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MPS3703
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.8A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MPS3703供应商更新时间2024-4-28 16:00:00

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