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MPS6517

PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCES = 40V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW

文件:28.68 Kbytes 页数:1 Pages

Samsung

三星

MPS6517

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPS6512 Series (NPN) and MPS6516 Series (PNP) types are molded Epoxy Silicon Small Signal Transistors designed for general-purpose amplifier applications.

文件:116.6 Kbytes 页数:2 Pages

Central

NI6517

Low-Cost Industrial Digital I/O-30 V, Bank Isolated

文件:151.72 Kbytes 页数:6 Pages

NI

恩艾

NIPCI-6517

Low-Cost Industrial Digital I/O-30 V, Bank Isolated

文件:151.72 Kbytes 页数:6 Pages

NI

恩艾

OM6517SA

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) IN A HERMETIC TO-254AA PACKAGE

文件:27.58 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

详细参数

  • 型号:

    MPS6517

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多MPS6517供应商 更新时间2025-12-4 16:01:00