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MPS6517

PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCES=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

MPS6517

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMPS6512Series(NPN)andMPS6516Series(PNP)typesaremoldedEpoxySiliconSmallSignalTransistorsdesignedforgeneral-purposeamplifierapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

6517

BNCtoBantamCable

POMONA

Pomona Electronics

6517B

6517BElectrometer/HighResistanceMeter

TEKTRONIXTektronix

泰克泰克科技(中国)有限公司

6517B-EW

6517BElectrometer/HighResistanceMeter

TEKTRONIXTektronix

泰克泰克科技(中国)有限公司

BD6517F

High-SideSwitch

Description HighsideswitchforUSBisahighsideswitchhavingovercurrentprotectionusedinpowersupplylineofuniversalserialbus(USB).ItsswitchunithastwochannelsofN-channelpowerMOSFET,andcurrentof500mAasUSBstandardcanbeflowntotherespectivechannels.And,overcu

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

BD6517F

2chHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

BX6517

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

CHA6517

6-18GHzHighPowerAmplifier

UMSUnited Monolithic Semiconductors

United Monolithic Semiconductors

CHA6517

6-18GHzHighPowerAmplifier

UMSUnited Monolithic Semiconductors

United Monolithic Semiconductors

CMBT6517

HIGH-VOLTAGETRANSISTOR

HIGH–VOLTAGETRANSISTOR SOT-23FormedSMDPackage N–P–Ntransistor

CDIL

CDIL

CMPT6517

COMPLEMENTARYSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT6517andCMPT6520arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltagedriverandamplifierapplications. MARKINGCODES:CMPT6517:C1Z

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMPT6517

SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYHIGHVOLTAGESILICONTRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CPH6517

Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

EM6517

MFPversionofEM6617UltraLowPowerMicrocontrollerwithADCandEEPROM

EMMICRO

EM Microelectronic - MARIN SA

EM6517

MaskRom

EMMICRO

EM Microelectronic - MARIN SA

EM6517

ThisboardcontainsthedifferentMFP?셲

EMMICRO

EM Microelectronic - MARIN SA

FMMT6517

NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR

FEATURES *350VoltVCEO *Gainof15atIC=100mA APPLICATIONS *SUITABLEFORAMPLIFIERANDSWITCHINGPRODUCTS

Zetex

Zetex Semiconductors

FMMT6517

SOT23NPNSILICONPLANAR

Features •BVCEO>350V •IC=500mAHighCollectorCurrent •350mWPowerDissipation •hFEof15@IC=100mA •ComplementaryPartNumber:FMMT6520 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101S

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

FMMT6517

350VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

晶体管资料

  • 型号:

    MPS6517

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.31W

  • 放大倍数:

    β=90-180

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .31

详细参数

  • 型号:

    MPS6517

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MPS6517供应商 更新时间2024-4-29 16:00:00