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MPS8099	文件：32.97 Kbytes Page：1 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
MPS8099	文件：735.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN - High Current Transistor Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize22x22MILS DieThickness5.9MILS BaseBondingPadArea3.7x3.7MILS EmitterBondingPadArea4.2x4.2MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS8099	文件：77.96 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPS8099	文件：329.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPS8098andMPS8099typesareNPNsilicontransistorsdesignedforgeneralpurposeaudioamplifierapplications. PNPcomplementarytypesareMPS8598andMPS8599.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS8099	文件：258.95 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
MPS8099	文件：248.52 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MPS8099	文件：82.67 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099	文件：89.22 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099	文件：112.99 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099	文件：128.389 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099_08	文件：128.389 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099G	文件：82.67 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099G	文件：128.389 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099G	文件：89.22 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099RLRA	文件：89.22 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099RLRA	文件：82.67 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099RLRAG	文件：82.67 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099RLRAG	文件：89.22 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099RLRAG	文件：128.389 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS8099RLRM	文件：82.67 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
MPS8099
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC447,BC546,3DG181G,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
80
htest：
999900
atest：
.2
wtest：
.35

详细参数

型号：
MPS8099
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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