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MPS918	文件：81.5 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MPS918	文件：46.76 Kbytes Page：3 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MPS918	文件：99.93 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier TVansistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MPS918	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.05A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MPS918_06	文件：46.76 Kbytes Page：3 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MPS918G	文件：46.76 Kbytes Page：3 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MPS918G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.05A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
918	文件：204.08 Kbytes Page：3 Pages	M12?륚PlasticPassiveI/OBox	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
ADG918	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BCP	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BRM	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BRM	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BRM	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BRM-REEL	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BRMZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG918BRMZ-REEL	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
CMBT918	文件：132.42 Kbytes Page：3 Pages	VHF/UHFTRANSISTOR	CDIL CDIL
CMBT918	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司

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晶体管资料

型号：
MPS918
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>600MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
30
htest：
600000100
atest：
.05
wtest：
.2

产品属性

产品编号：
MPS918
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 3mA，10V
频率 - 跃迁：
600MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 15V 0.05A TO92

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