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MPS6560	文件：33.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN (AUDIO TRANSISTOR) AUDIO TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 25V • Collector Dissipation: pc(max)=625mW 文件：33.62 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MPS6560	文件：355.01 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS AudioTransistors 文件：355.01 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
MPS6560	文件：55.18 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPS6560 series types are complementary silicon epitaxial planar transistor designed for general purpose amplifier and switching applications. 文件：55.18 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MPS6560	文件：69.12 Kbytes Page：4 Pages	Audio Transistor Audio Transistor NPN Silicon 文件：69.12 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MPS6560	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS THE MPS6560, MPS6561 (NPN) AND MPS6562, MPS6563 (PNP) ARE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS DESIGNED FOR COMPLEMENTARY SYMMETRY AUDIO OUTPUT APPLICATIONS. THEY FEATURE LOW COLLECTOR TO EMITTER SATURAION VOLTAGE (0.23V TYPICAL @ IC=500mA) 文件：122.24 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MPS6560	文件：43.81 Kbytes Page：3 Pages	Audio Transistor NPN Silicon 文件：43.81 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6560	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-92 Bipolar Junction Transistors	LISION 力神	LISION
MPS6560NPN	文件：355.01 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS AudioTransistors 文件：355.01 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
MPS6560G	文件：43.81 Kbytes Page：3 Pages	Audio Transistor NPN Silicon 文件：43.81 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6560G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Audio Transistor NPN Silicon	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MPS6560
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC338,BC378,BC738,BC838,3DK4A,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.5

技术参数

Ic(max)：
625
BVCBO：
500
VCEO：
25
BVEBO：
25
hFE(MIN)：
5
hFE(MAX)：
50
VCE：
200
IC：
1
VCE(sat)：
500
IC(mA)：
0.5
IB(mA)：
500
fT：
50
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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