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MPS6520	文件：29.52 Kbytes Page：1 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCES = 25V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW 文件：29.52 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
MPS6520	文件：315.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPS6520 and MPS6521 are silicon NPN epitaxial transistors designed for complementary amplifier applications requiring low noise and high DC current gains. The PNP complementary devices are MPS6522 and MPS6523 respectively. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：315.57 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central
MPS6520	文件：791.29 Kbytes Page：12 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors 文件：791.29 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MPS6520	文件：159.59 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：159.59 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MPS6520	文件：300 bytes Page：1 Pages	Amplifier Transistors	恩XP 恩智浦	恩XP
MPS6520	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS	Micro Electronics	Micro Electronics
MPS6520	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise	Central	Central
MPS6520C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR 文件：52.62 Kbytes 页数：1 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@5mA@50mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Transition Frequency：
400(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MPS6520供应商更新时间2025-10-11 16:06:00

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