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深圳市欧立现代科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市博浩通科技有限公司

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MOTTO92

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MPS5179

FSC/ON原包装原封 □□

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深圳廊盛科技有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉TO-92

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深圳市恒达亿科技有限公司

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MPS5179

FAIRCHILD原装进口原厂原包接受订货

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深圳市汇莱威科技有限公司

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MOTTO-92

562000

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深圳市汇莱威科技有限公司

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MPS5179

TO-92

68900

MOT

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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MPS5179

ONTO92

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深圳市特顺芯科技有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3,TO-92-3 长体

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独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

中天科工半导体（深圳）有限公司

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MPS5179

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深圳市旺财半导体有限公司

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MPS5179

FSC

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MPS5179功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 12V High RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPS5179_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor

MPS5179_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Frequency Transistor NPN Silicon

MPS5179_D26Z功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

MPS5179_D27Z功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

MPS5179_D75Z功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel

MPS5179_D75Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPS5179_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPS5179G功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 12V High Frequency NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPS5179RLRA功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 12V High RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    MPS5179

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    12V

  • 频率 - 跃迁：

    2GHz

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 3mA，1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

晶体管资料

  • 型号：

    MPS5179

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

  • 性质：

    射频/高频放大 （HF）_宽频带放大 （A）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

  • 最大电流允许值：

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-10

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0

  • wtest：

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