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MPS6513	文件：179.61 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS MPS6512 thru MPS6515 are NPN silicon planar epitaxial transistors designed for general purpose amplifier applications and for complementary circuitry. 文件：179.61 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MPS6513	文件：87.87 Kbytes Page：2 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：87.87 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPS6513	文件：87.87 Kbytes Page：2 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：87.87 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPS6513	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 30V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625 mW 文件：28.2 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MPS6513	文件：116.6 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPS6512 Series (NPN) and MPS6516 Series (PNP) types are molded Epoxy Silicon Small Signal Transistors designed for general-purpose amplifier applications. 文件：116.6 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MPS6513	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
MPS6513	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6513C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR 文件：52.62 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MPS6513_D26Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6513_D74Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MPS6513
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.31W
放大倍数：
β=90-180
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.31

产品属性

产品编号：
MPS6513
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 2mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.2A TO92-3

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