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MPS5172	文件：103.91 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：103.91 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MPS5172	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR AMPLIFIER TRANSISTOR	CDIL	CDIL
MPS5172	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk	NJS 新泽西半导体	NJS
MPS5172	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS5172C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR 文件：52.62 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MPS5172G	文件：103.91 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：103.91 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MPS5172
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
25
htest：
200000000
atest：
0.1
wtest：
0.36

产品属性

产品编号：
MPS5172
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 25V 0.1A TO92

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