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MPS4355	文件：52.12 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION MPS4355 is PNP silicon planar epitaxial transistor designed for AF medium power amplifiers. 文件：52.12 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MPS4355	文件：86.4 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PNP TRANSISTORS SILICON PNP TRANSISTORS JEDEC TO-105 JEDEC TO-92 (EBC) 文件：86.4 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MPS4355	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92	NJS 新泽西半导体	NJS
NCP4355	文件：203.04 Kbytes Page：17 Pages	Secondary Side SMPS OFF Mode Controller 文件：203.04 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP4355A	文件：203.04 Kbytes Page：17 Pages	Secondary Side SMPS OFF Mode Controller 文件：203.04 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP4355B	文件：203.04 Kbytes Page：17 Pages	Secondary Side SMPS OFF Mode Controller 文件：203.04 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MPS4355
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.35

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.15@15mA@150mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Transition Frequency：
500MHz
Type：
PNP

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