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MMBTA14LT1G	文件：194.2 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Amplifier Transistors 文件：194.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 达林顿晶体管 NPN达林顿晶体管该器件设计用于集电极电流达到1.0A时需要极高电流增益的应用。采用工艺05设计。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage	Infineon 英飞凌	Infineon
MMBTA14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 30V, 0.3A, SOT23	Diodes 美台半导体	Diodes
MMBTA14	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA14-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

晶体管资料

型号：
MMBTA14
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCV27,BCV47,PMBTA14,SMBTA14,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

产品属性

产品编号：
MMBTA14
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

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