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MMBTA14-7	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (MMBTA63/MMBTA64) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • High Current Gain • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 3 and 4) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig 文件：47.79 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA14L	文件：227.11 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* 文件：227.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14LT1	文件：74.14 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Amplifier Transistors Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：74.14 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14LT1	文件：210.4 Kbytes Page：5 Pages	Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon) NPN Silicon 文件：210.4 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBTA14LT1	文件：235.66 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：235.66 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMBTA14LT1G	文件：74.14 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Amplifier Transistors Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：74.14 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14LT1G	文件：227.11 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* 文件：227.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA14_10	文件：79.28 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTON TRANSISTOR 文件：79.28 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA14_11	文件：698.59 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) 文件：698.59 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MMBTA14_15	文件：142.9 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTON TRANSISTOR 文件：142.9 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
MMBTA14
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCV27,BCV47,PMBTA14,SMBTA14,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

产品属性

产品编号：
MMBTA14
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

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