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MMBTA14	文件：208.4 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistors Darlington Amplifier NPN Transistors Darlington Amplifier 文件：208.4 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBTA14	文件：143.2 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K3D；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary PNP type available (MMBTA63/MMBTA64). ● High current gain APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching. 文件：143.2 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBTA14	文件：139.74 Kbytes Page：1 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (MMBTA63, MMBTA64) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • High Current Gain 文件：139.74 Kbytes 页数：1 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBTA14	文件：618.17 Kbytes Page：2 Pages	丝印：K3D；Package：SOT-23；NPN Darlington Amplifier Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary PNP type available (MMBTA63/MMBTA64). ● High current gain. APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching. 文件：618.17 Kbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
MMBTA14	文件：196.1 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Darlington Amplifier 文件：196.1 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
MMBTA14	文件：196.1 Kbytes Page：2 Pages	Darlington Amplifier FEATURES • Darlington Amplifier 文件：196.1 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
MMBTA14	文件：1.16025 Mbytes Page：4 Pages	Power dissipation FEATURES Power dissipation PCM : 0.3W（Tamb=25℃） Collector current ICM : 0.3A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 文件：1.16025 Mbytes 页数：4 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
mmbta14	文件：3.18338 Mbytes Page：3 Pages	丝印：K3D；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors FEATURES Darlington Amplifier 文件：3.18338 Mbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
MMBTA14	文件：274.76 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Darlington Amplifier 文件：274.76 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
MMBTA14	文件：339.82 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1N；Package：SOT-23；DarlingtonAmplifier Transistors Darlington Amplifier Transistors ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：339.82 Kbytes 页数：8 Pages	FS	FS

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晶体管资料

型号：
MMBTA14
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCV27,BCV47,PMBTA14,SMBTA14,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

产品属性

产品编号：
MMBTA14
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

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更多MMBTA14供应商更新时间2026-4-18 14:00:00

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