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LMBT4401LT1	文件：272.81 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT4401LT1G	文件：1.0149 Mbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliantwithRoHSrequirementsandHalogenFree FEATURES 1)Wedeclarethatthematerialofproductcompliantwith RoHSrequirementsandHalogenFree. 2)S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMBT4401LT1G	文件：272.81 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT4401LT1	文件：265.25 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT4401LT1	文件：428.57 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT4401LT1	文件：38.63 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT4401LT1	文件：43.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT4401LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C Jun	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT4401LT1	文件：213.29 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistor(NPNSilicon) SwitchingTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4401LT1	文件：301.26 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistor SwitchingTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT4401LT1	文件：153.69 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) Features •Powerdissipation PCM:0.225W(Tamb=25°C) •PluseDrain ICM:0.6mA •ReverseVoltage V(BR)CBO:60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55Cto+150C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
MMBT4401LT1S
制造商：
Motorola Inc
功能描述：
Electronic Component

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市源泽芯电子有限公司	MMBT4401LT1单片机MCU	CJ/长电	18+	SOT-23	1000	进口原装现货假一赔万力挺实单	询价
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更多MMBT4401LT1S供应商更新时间2025-7-25 15:30:00

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